长江存储开启全新闪存产物出货 长度超出韩国

克日,据新闻,长江存储曾经开端了其第五代3D TLC NAND闪存的出货。这款闪存产物采取了Xtacking 4.0架构,共有294层跟232个有源层。据悉,长江存储曾经在新的闪存产物上超出了韩国、美国等其余头部存储企业。现在,该公司推出的第五代3D TLC NAND闪存产物的位密度超越了20Gb/mm(混杂键合技巧将闪存阵列与CMOS逻辑跟接口衔接起来,以最年夜限制地进步存储密度跟I/O机能)。固然团体来说,这个数值略低于铠侠跟西部数据BiCS8 QLC NAND闪存产物的22.9Gb/mm,然而斟酌到市场上其余企业的表示,这一成就曾经十分优良。依据行业人士的观念,现在长江存储曾经胜利将闪存密度晋升到了与行业雷同程度,因而该公司曾经成为寰球NAND市场的一个强无力的竞争者。